磷掺杂金刚石中的硅空位色心
应用物理
2021-07-13 v1 材料科学
量子物理
摘要
在磷掺杂（n 型）金刚石中受控创建色心可促进量子光子学器件的电子学集成，例如基于电注入工作的单光子源。硅空位（SiV）色心是有希望的候选者，但迄今为止尚未研究磷掺杂金刚石中单光子发射的条件。在本研究中，我们在具有不同磷浓度的金刚石样品中创建 SiV 色心，并表明由掺杂、氮杂质和离子注入诱导缺陷引起的荧光背景可被显著抑制。在低 Si 离子注入通量下获得了磷掺杂金刚石中的单光子发射体。
引用
@article{arxiv.1912.09352,
title = {Silicon-vacancy color centers in phosphorus-doped diamond},
author = {Assegid Mengistu Flatae and Stefano Lagomarsino and Florian Sledz and Navid Soltani and Shannon S. Nicley and Ken Haenen and Robert Rechenberg and Michael F. Becker and Silvio Sciortino and Nicla Gelli and Lorenzo Giuntini and Francesco Taccetti and Mario Agio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.09352},
year = {2021}
}