金刚石中的中性硅空位中心：自旋极化与寿命

我们展示了金刚石中中性电荷硅空位缺陷（$\mathrm{SiV^{0}}$）的光学自旋极化，该缺陷是一个 $S=1$ 缺陷，在 946 nm 处发射零声子线。发现在共振激发下自旋极化效率最高，但在低于共振能量下不为零。我们在低温下测量了系综自旋相干时间 $T_2>100~\mathrm{\mu s}$，以及自旋弛豫极限 $T_1>25~\mathrm{s}$。946 nm 附近的光学自旋态初始化允许在同一光学寻址体积内独立初始化 $\mathrm{SiV^{0}}$ 和 $\mathrm{NV^{-}}$，且 $\mathrm{SiV^{0}}$ 在 1550 nm 的电信下转换频带内发射：结合其高 Debye-Waller 因子，我们的初步结果表明 $\mathrm{SiV^{0}}$ 是长距离量子通信技术的有前途的候选者。