共掺杂金刚石中的双电荷硅空位中心、光致变色与 Si-N 复合体
材料科学
2020-05-27 v1
摘要
我们报道了在硅和氮共掺杂样品中首次实验观测到金刚石中的双电荷缺陷 SiV2-。我们测量了归属于金刚石中替代位硅的光谱特征，并通过理论计算支持确认了一种由最近邻氮修饰的硅-空位复合体 SiVN。含有硅和氮的样品显示出强烈的光致变色性，其主要的可见变化源于 SiV0/- 的消失以及光学非活性的 SiV2- 的增加。
引用
@article{arxiv.2002.01712,
title = {Doubly-charged silicon vacancy center, photochromism, and Si-N complexes in co-doped diamond},
author = {B G Breeze and C J Meara and X X Wu and C P Michaels and R Gupta and P L Diggle and M W Dale and B L Cann and T Ardon and U F S D'Haenens-Johansson and I Friel and M J Rayson and P R Briddon and J P Goss and M E Newton and B L Green},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.01712},
year = {2020}
}