利用氮空位中心探测体块化学气相沉积生长金刚石中的暗缺陷电荷动力学
材料科学
2020-05-20 v1
摘要
尽管化学气相沉积（CVD）是合成金刚石晶体的优选途径之一，但对生长过程中产生的点缺陷的全面认识仍不完整。本文利用 1b 型 CVD 金刚石中氮空位（NV）中心的电荷与自旋特性，揭示了一种光学与磁学上均暗的点缺陷，尽管其丰度可与（甚至超过）替代氮相比，但此前几乎未被注意到。间接探测的光致发光光谱表明其在价带上方 1.6 eV 处存在施主态，尽管该缺陷的微观结构与成分仍不明确。我们的结果可能与日益增多的依赖 CVD 生长单晶金刚石的应用相关。
引用
@article{arxiv.2004.06520,
title = {Dark defect charge dynamics in bulk chemical-vapor-deposition-grown diamonds probed via nitrogen vacancy centers},
author = {A. Lozovoi and D. Daw and H. Jayakumar and C. A. Meriles},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.06520},
year = {2020}
}