通过调节生长温度优化用于量子传感技术的合成金刚石样品
材料科学
2018-07-02 v1
摘要
本文通过在（113）取向金刚石衬底上调节化学气相沉积（CVD）生长温度，展示了对金刚石中氮-空位（NV）缺陷结晶取向的控制。我们表明，当 CVD 生长温度降低时，NV 缺陷沿 [111] 轴的优先排列显著改善。然后将该效应与 CVD 生长过程中 NV 缺陷的温度依赖性掺入相结合，以获得在空间上局域于薄金刚石层中的致密 NV 缺陷系的优先排列。这些结果表明，生长温度可作为额外的自由度来设计用于量子传感应用的优化金刚石样品。
引用
@article{arxiv.1806.11419,
title = {Optimizing synthetic diamond samples for quantum sensing technologies by tuning the growth temperature},
author = {S. Chouaieb and L. J. Martínez and W. Akhtar and I. Robert-Philip and A. Dréau and O. Brinza and J. Achard and A. Tallaire and V. Jacques},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.11419},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 3 figures