合成金刚石样品中氮-空位缺陷的完美择优取向
材料科学
2015-06-18 v2
摘要
我们表明，通过在 (111) 取向的金刚石衬底上进行化学气相沉积 (CVD) 生长，可以有效控制金刚石中氮-空位 (NV) 缺陷的取向。更准确地说，我们证明了自发产生的 NV 缺陷以约 97% 的概率沿 [111] 轴取向，这是四种可能晶轴中最具吸引力的取向。通过分析 (111) 取向衬底上的金刚石生长机制，可以解释这种近乎完美的择优取向，并且该机制可以扩展到其他类型的缺陷。这项工作向为量子信息和传感应用设计优化的金刚石样品迈出了重要一步。
引用
@article{arxiv.1401.2795,
title = {Perfect preferential orientation of nitrogen-vacancy defects in a synthetic diamond sample},
author = {M. Lesik and J. -P. Tetienne and A. Tallaire and J. Achard and V. Mille and A. Gicquel and J. -F. Roch and V. Jacques},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.2795},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 4 figures