4H SiC中硅空位相关电子顺磁共振中心的鉴别
材料科学
2021-08-04 v1 量子物理
摘要
碳化硅（SiC）中带负电的硅空位 [V] 是六方SiC中的一种顺磁且具光学活性的缺陷。V 缺陷具有 自旋和长自旋相干时间，并可在甚至室温下被光学操控。近来，在SiC的4H多型中除与 V 缺陷相关的信号外，还观测到了电子自旋共振信号。相应中心具有与 V 缺陷类似的性质，因此可能是量子技术应用的候选者。然而，新信号的确切起源未知。本文中我们报道与 V 相关的对缺陷模型作为未知中心的可能候选。我们确定了由密度泛函理论（DFT）计算获得的相应电子结构与磁光性质。我们为近期观测到的电子顺磁共振中心提出模型，并预测其光学信号以用于未来实验中的鉴别。
引用
@article{arxiv.2104.04292,
title = {Identification of silicon vacancy-related electron paramagnetic resonance centers in 4H SiC},
author = {A. Csóré and N. T. Son and A. Gali},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.04292},
year = {2021}
}