4H-SiC 中单个浅层硅空位中心的表征
量子物理
2023-04-26 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
浅层带负电硅空位中心在磁性量子传感及其他量子应用中有应用价值。靠近表面(100 nm 内)的空位中心具有不同的自旋弛豫速率与光学自旋极化,影响光探测磁共振(ODMR)信号。这使得表征这些中心十分必要。本文给出此类中心的相关自旋性质。对比现有技术更优、对比度高达 6% 的 ODMR 使我们能够确定对多数传感应用相关的零场分裂。我们还给出强度关联数据以验证信号源自单个中心,并提取不同电子态间的跃迁速率。
引用
@article{arxiv.2209.12722,
title = {Characterization of single shallow silicon-vacancy centers in 4H-SiC},
author = {Harpreet Singh and Mario Alex Hollberg and Misagh Ghezellou and Jawad Ul-Hassan and Florian Kaiser and Dieter Suter},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.12722},
year = {2023}
}