SiC 中自旋 3/2 硅空位中心的多光子多量子跃迁
量子物理
2022-04-12 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
碳化硅中的硅空位中心是存储和操控量子信息的极具前景的候选体系。实现快速量子门是量子信息处理的必要要求。在低磁场下，硅空位自旋的共振频率处于几 MHz 范围，与典型控制场的拉比频率同数量级。因此，旋转波近似失效，多光子的吸收与发射等非线性过程变得重要。本工作聚焦于强射频场驱动的负电荷硅空位中的多光子跃迁。我们给出了在不同射频功率下测量的连续波光探测磁共振（ODMR）谱，以识别 6-SiC 多型中不同类型硅空位的 1、2 和 3 射频光子跃迁。首次观测到这些多射频光子跃迁的拉比振荡和自由感应衰减的 time-resolved 实验。除零场数据外，我们还给出了相对于体系对称轴具有不同强度和取向的磁场下的谱。
引用
@article{arxiv.2112.10211,
title = {Multi-photon multi-quantum transitions in the spin-3/2 silicon-vacancy centers of SiC},
author = {Harpreet Singh and Mario Alex Hollberg and Andrei N. Anisimov and Pavel G. Baranov and Dieter Suter},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.10211},
year = {2022}
}