离轴磁场下金刚石硅空位中心能级结构
介观与纳米尺度物理
2024-12-04 v1
摘要
我们报告了一种用于表征单个硅空位(SiV)中心在磁场下能级结构并提取能级结构关键参数的实验方法。该方法基于包含静应变、动态Jahn-Teller耦合以及磁场效应的理论模型，并引入两个耦合率（分别对应基态和激发态），以表征应变与Jahn-Teller耦合的综合效应。通过对离轴磁场下SiV中心能级结构的解析表达式，这两个耦合率可直接从光子发射激发谱中两个自旋守恒跃迁频率分离的测量值，以及与SiV基态自旋状态相关的相干人口捕获共振的测量值中获得。进一步的实验研究表明，能级结构随磁场幅度和方向的变化进一步验证了理论模型，揭示了基态和激发态轨道磁耦合不相等的贡献。
引用
@article{arxiv.2412.02005,
title = {Energy level structure of diamond silicon vacancy centers in an off-axis magnetic field},
author = {Shuhao Wu and Xinzhu Li and Ian Gallagher and Lexington Mandachi and Benjamin Lawrie and Hailin Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.02005},
year = {2024}
}