自旋轨道相互作用和电子-声子耦合对硅空位电子态的影响
强关联电子
2015-05-13 v2 其他凝聚态物理
摘要
利用格林函数方法研究了硅晶体中单个空位周围的电子态。发现三重简并的荷电态广泛扩展，并解释了近期超声实验中观察到的低温下极大的弹性软化。当我们在每个Si原子上包含LS耦合λ_Si时，价态为+1、自旋为1/2的V^+态的6重自旋-轨道简并分裂为Γ_7二重态基态和Γ_8四重态激发态，激发能降低至O(λ_Si/10)。我们还考虑了二阶微扰下悬挂键中电子与Jahn-Teller声子耦合的影响，发现基态变为Γ_8四重态，这解释了B掺杂硅中软化的磁场抑制现象。
引用
@article{arxiv.0906.2596,
title = {Effect of the spin-orbit interaction and the electron phonon coupling on the electronic state in a silicon vacancy},
author = {Takemi Yamada and Youichi Yamakawa and Yoshiaki Ōno},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.2596},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 2 figures