方格子 Hubbard 模型中的基态双自旋子键

本文研究了方格子上 Hubbard 模型的基态以及单电子和双电子激发态的自旋构型。我们利用了一种广义的旋转电子描述，该描述与模型的全局 $SO(3)\times SO(3)\times U(1)$ 对称性一致。对于旋转电子，在位排斥能 $U>0$ 时，双占据和单占据是好量子数。上述状态在该描述下由电荷 $c$ 费米子和自旋单态双自旋子 $s1$ 键粒子的占据构型产生。它们分别描述了单占据格点的旋转电子的电荷和自旋自由度。虽然 $c$ 费米子没有内部结构，但自旋中性的 $s1$ 键粒子占据构型的结构在此被描述为定义明确的有效自旋格子上的自旋子占据。在参考文献 \cite{companion} 中证实，我们的结果有助于进一步理解电子关联在母体化合物 La$_2$CuO$_4$ 自旋谱中的作用。这些结果对于光晶格中超冷费米原子的研究也具有意义。