硅晶体中空位引起的四极磁化率与弹性软化

我们利用格林函数方法研究了硅晶体中单个空位周围的电子态。发现带隙内的三重简并空位态延伸至距空位约20 Å的大距离，并导致四极磁化率的倒数温度依赖性，从而在低温下引起弹性软化。三角模式($O_{yz},O_{zx},O_{xy}$)的四极磁化率居里常数相较于四方模式($O_{2}^{0},O_{2}^{2}$)显著增强。所得结果与近期在硅晶体中低至20 mK的超声实验一致。我们还计算了偶极和八极磁化率，并发现特定模式的八极磁化率极大增强。