激子绝缘体轨道磁化率理论
强关联电子
2016-08-05 v1 材料科学
摘要
我们在双带模型基础上研究了激子绝缘体轨道磁化率的温度依赖性。研究表明，由于激子能隙导致的额外轨道磁化率的出现，磁化率随温度会发生剧烈变化（异常增强）。我们明确计算了 TaNiSe 模型的轨道磁化率温度依赖性，并表明结果与实验结果一致。
引用
@article{arxiv.1607.07930,
title = {Theory of Orbital Susceptibility on Excitonic Insulator},
author = {Hiroyasu Matsuura and Masao Ogata},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.07930},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 6 figures, Accepted for publication in J. Phys. Soc. Jpn