激子绝缘体 Ta2NiSe5 中的光激发动力学
强关联电子
2018-08-01 v1
摘要
激子绝缘体是一种由凝聚激子形成的引人入胜的关联电子相。一个有希望的候选者是窄带隙半导体 Ta2NiSe5。在此，我们通过时间分辨泵浦-探测实验研究 Ta2NiSe5 中的准粒子与相干声子动力学。使用 Kabanov 等人最初为超导体开发的模型，我们表明该材料的内禀能隙在高达约 250 K 至 275 K 的温度下可描述为几乎与温度无关。此行为支持 Ta2NiSe5 中激子绝缘体态的存在。在这些温度以上能隙出现额外的温度依赖分量，表明该材料位于 BEC-BCS 交叉区。此外，我们表明该态对强光电激发非常稳定，这揭示自由载流子无法有效屏蔽电子与空穴间的吸引库仑相互作用，很可能源于 Ta2NiSe5 的准一维结构。
引用
@article{arxiv.1801.10466,
title = {Photo-excited Dynamics in the Excitonic Insulator Ta2NiSe5},
author = {Daniel Werdehausen and Tomohiro Takayama and Gelon Albrecht and Yangfan Lu and Hidenori Takagi and Stefan Kaiser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.10466},
year = {2018}
}
备注
27 pages, 8 figures