Ta$_2$NiSe$_5$中激子绝缘态的强耦合本质
强关联电子
2018-06-18 v3 材料科学
摘要
我们利用基于密度泛函理论的电子结构计算以及有效模型的密度矩阵重整化群计算，分析了所测量的光学电导谱。我们表明，与常规描述相反，尽管非相互作用能带结构为带重叠半金属而非小带隙半导体，TaNiSe中发生了预形成激子的玻色-爱因斯坦凝聚。因此，转变温度以上的系统并非半金属，而是具有有限带隙的预形成激子态。由此在真实材料中确立了一种由强电子-空穴吸引引起的新型绝缘体态。
引用
@article{arxiv.1803.05622,
title = {Strong Coupling Nature of the Excitonic Insulator State in Ta$_2$NiSe$_5$},
author = {K. Sugimoto and S. Nishimoto and T. Kaneko and Y. Ohta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.05622},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 4 figures, Supplemental Material