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激子绝缘体中的超快电子带隙调控

强关联电子 2017-09-06 v2

摘要

我们报道了通过时间和角分辨光电子能谱研究的层状半导体Ta2_2NiSe5_5电子结构的非平衡动力学。我们表明,在临界激发密度FC=0.2F_{C} = 0.2 mJ cm2^{-2}以下,带隙瞬态变窄,而在FCF_{C}以上则增强。Hartree-Fock计算揭示,该效应可由Ta2_2NiSe5_5低温激子绝缘体相的存在解释,其序参量与带隙大小相关。本工作展示了在飞秒时间尺度上用光操纵Ta2_2NiSe5_5带隙的能力。

关键词

引用

@article{arxiv.1608.05586,
  title  = {Ultrafast Electronic Band Gap Control in an Excitonic Insulator},
  author = {Selene Mor and Marc Herzog and Denis Golež and Philipp Werner and Martin Eckstein and Naoyuki Katayama and Minoru Nohara and Hide Takagi and Takashi Mizokawa and Claude Monney and Julia Stähler},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1608.05586},
  year   = {2017}
}