半金属Ta$_2$NiSe$_5$中由激子涨落介导的FFLO超导性
超导电性
2020-10-27 v6
摘要
我们研究准一维三链Hubbard模型中TaNiSe的激子涨落及其介导的超导性，该材料是已知的激子绝缘体候选材料。在半导体情形以及具有小能带重叠的半金属情形（一个导带()与一个价带()穿过费米能级）下，由于-库仑相互作用，的激子涨落增强，并朝对应于激子绝缘体的均匀激子序发散。另一方面，在具有大能带重叠的半金属情形（两个带与一个带穿过费米能级）下，对应于与费米面(FSs)间嵌套矢量的非均匀激子涨落占主导，并导致以具有有限质心动量的激子凝聚为特征的Fulde-Ferrell-Larkin-Ovchinnikov (FFLO)激子序。在失稳点附近，大幅增强的激子涨落介导具有有限质心动量的-带间库珀对，从而产生FFLO超导性，这有望在高压下的半金属TaNiSe中实现。
引用
@article{arxiv.1806.06338,
title = {FFLO Superconductivity Mediated by Excitonic Fluctuation in Semimetallic Ta$_2$NiSe$_5$},
author = {Takemi Yamada and Kaoru Domon and Yoshiaki Ōno},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.06338},
year = {2020}
}
备注
11 pages, 9 figures