Ta$_2$NiSe$_5$光诱能隙抑制的结构贡献
材料科学
2025-08-20 v2 强关联电子
摘要
准粒子绝缘体是一种承载特殊基态的材料，其中能隙由于束缚电子-空穴对的自发凝聚而产生。TaNiSe是此类材料的有力候选者，但结构相变与能隙开启的共存导致了关于绝缘体能隙来源长期存在的争议。本文采用MeV脉冲电子衍射，获取TaNiSe光激发后原子位移的定量信息，这在以往的时间分辨光谱研究中被忽略。结合包含测量得到的原子位移的第一性原理计算，我们发现结构变化可以基本解释光诱能隙的降低，而无需考虑准粒子效应。我们的工作阐明了在准粒子材料中进行无平衡相变时，对单个原子路径进行定量重构的重要性，为理解其中晶格动力学发挥关键作用的广泛相变铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2508.12363,
title = {Structural contribution to light-induced gap suppression in Ta$_2$NiSe$_5$},
author = {Zijing Chen and Chenhang Xu and Chendi Xie and Weichen Tang and Qiaomei Liu and Dong Wu and Qing Xu and Tao Jiang and Pengfei Zhu and Xiao Zou and Jun Li and Zhiwei Wang and Nanlin Wang and Dong Qian and Alfred Zong and Dao Xiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.12363},
year = {2025}
}