利用共振非弹性 X 射线散射测绘 Ta$_2$NiSe$_5$ 的未占据态色散
强关联电子
2020-08-07 v1
摘要
过渡金属硫族化物 TaNiSe 在 K 发生涉及微小晶格畸变的二级相变。在 以下，其布里渊区中心的能隙增大至约 0.35 eV。本工作中，我们利用 Ni 边的共振非弹性 X 射线散射（RIXS）研究 TaNiSe 低温半导体相的电子结构。除微弱的荧光响应外，我们观察到一组强烈的类拉曼峰，并将其归因于电子-空穴激发。利用电子能带结构的密度泛函理论计算，我们将主要的类拉曼峰识别为价带与导带间的带间跃迁。通过角度依赖的 RIXS 测量，我们揭示了这些电子-空穴激发的色散，从而提取出电子-空穴连续谱的低能边界。根据角分辨光电子能谱测得的价带色散，我们推导出最低未占据导带的有效质量。
引用
@article{arxiv.2008.02575,
title = {Mapping the unoccupied state dispersions in Ta$_2$NiSe$_5$ with resonant inelastic x-ray scattering},
author = {C. Monney and M. Herzog and A. Pulkkinen and Y. Huang and J. Pelliciari and P. Olalde-Velasco and N. Katayama and M. Nohara and H. Takagi and T. Schmitt and T. Mizokawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.02575},
year = {2020}
}
备注
accepted for publication in Physical Review B