GaSe与InSe后过渡金属硫族化物薄层的拉曼光谱
材料科学
2021-09-02 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
III-VI族后过渡金属硫族化物(InSe与GaSe)是一类新型层状半导体，其带隙的大小和类型随层数(N)发生强烈变化。在此，我们利用拉曼光谱研究了从块体晶体到单层、封装于六方氮化硼中的InSe和GaSe剥离薄层。我们给出了每层原子内振动以及层间剪切与层呼吸模对N的依赖性。可用线性链模型描述峰位随N的演化，这与第一性原理计算一致。
引用
@article{arxiv.2003.03336,
title = {Raman spectroscopy of GaSe and InSe post-transition metal chalcogenides layers},
author = {Maciej R. Molas and Anastasia V. Tyurnina and Viktor Zólyomi and Anna K. Ott and Daniel J. Terry and Matthew J. Hamer and Celal Yelgel and Adam Babiński and Albert G. Nasibulin and Andrea C. Ferrari and Vladimir I. Fal'ko and Roman Gorbachev},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.03336},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 5 figures