基于hBN/In(Ga)Te的新型宽光谱光吸收异质结构
材料科学
2022-07-13 v1
摘要
二维III族单硫属化物因其广泛的光学与电学性质近来备受关注，是有望用于光电子及新型电学应用的候选材料，但其本征形式对空气中的氧气极为敏感且易受损。本文提出两种基于hBN(六方氮化硼)与GaTe或InTe单层的新型vdW异质结构。利用密度泛函理论，我们研究了这些结构的电子与光学性质。其适中的带隙与良好的吸收系数使之成为宽光谱吸收的优异材料，覆盖从部分红外到远紫外的全部波段，且对紫外光吸收尤佳。hBN层不仅可保护敏感的GaTe与InTe，且不仅保留还增强了其光学性质。此外，我们确认堆叠类型不影响任何相关性质，因三种堆叠类型的总能量非常相近，且各自的能带结构几乎一致。这对更便捷的实验实现尤为重要。
引用
@article{arxiv.2204.09048,
title = {Novel wide spectrum light absorber heterostructures based on hBN/In(Ga)Te},
author = {A. Šolajić and J. Pešić},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.09048},
year = {2022}
}