少层硒化镓中的多型性
材料科学
2020-09-24 v1 应用物理
摘要
硒化镓（GaSe）是层状 III 族金属单硫族化物之一，不同于其他常规过渡金属二硫族化物（TMDs）如 MoX2 与 WX2（X=S 和 Se），其在单层为间接带隙、体块为直接带隙。已报道了体块 GaSe 的四种多型，记为 β-、ε-、γ- 与 δ-GaSe。由于不同多型即使厚度相同也会导致不同光学与电学性质，识别多型对于将该材料用于各类光电子应用至关重要。我们对 GaSe 进行了偏振拉曼测量，发现即使厚度相同，由于多型堆垛序列不同，其层间振动模式的超低频频拉曼谱也不同。通过将超低频频拉曼谱与理论计算及高分辨电子显微测量比较，我们建立了三层 GaSe 超低频频拉曼谱与堆垛序列间的关联。我们进一步发现，GaSe 中 AB 型堆垛比 AA' 型堆垛更稳定。
引用
@article{arxiv.2009.10954,
title = {Polytypism in Few-Layer Gallium Selenide},
author = {Soo Yeon Lim and Jae-Ung Lee and Jung Hwa Kim and Liangbo Liang and Xiangru Kong and Thi Thanh Huong Nguyen and Zonghoon Lee and Sunglae Cho and Hyeonsik Cheong},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.10954},
year = {2020}
}