硫属镓范德瓦耳斯化合物中可调的电子结构
介观与纳米尺度物理
2019-10-16 v2
摘要
过渡金属单硫属化物构成一类二维材料，其电子带隙对材料厚度和化学成分高度敏感。在此，我们利用角分辨光电子能谱探究 GaSe 中电子激发谱的可调性。该材料的电子结构通过 钾沉积以及形成 GaSSe 合金化合物而被修饰。我们发现钾使 GaSe 晶胞的最顶层四层解耦，导致价带顶（VBM）附近的色散发生显著变化。单层四层观察到的能带色散与从块体的直接带隙特征到单层 GaSe 预期的间接带隙特征的转变一致。在与硫形成合金时，我们观察到从 AB 到 堆垛的相变。合金化还导致 VBM 向更高结合能的刚性能量移动，这与发光中的蓝移相关。硫合金化时带隙的增大似乎并未明显改变 VBM 的色散或特征，这意味着可以在保持这些材料显著电子性质的同时对其带隙进行调控。
引用
@article{arxiv.1908.01003,
title = {Tunable Electronic Structure in Gallium Chalcogenide van der Waals Compounds},
author = {Brian Shevitski and Søren Ulstrup and Roland J. Koch and Hui Cai and Sefaattin Tongay and Luca Moreschini and Chris Jozwiak and Aaron Bostwick and Alex Zettl and Eli Rotenberg and Shaul Aloni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.01003},
year = {2019}
}