少层过渡金属二硫族化合物的电子与热电性质
材料科学
2014-04-03 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
计算了 1 至 4 个单层的 MoS、MoSe、WS 和 WSe 的电子和热电性质。对于少层厚度，导带 和 谷以及价带 和 谷的近简并性增强了 n 型和 p 型的热电性能。层间杂化和能级分裂决定了在 范围内谷最小值附近的模式数量如何随层厚变化。在所有情况下，最大 ZT 值与带边附近 范围内最大的近简并性相吻合，这导致了模式密度的最急剧开启。出现该最大值的厚度通常不是单层。讨论了从少层到体材料的转变。表格列出了所有材料和层厚的有效质量、能隙、功率因子和 ZT 值。
引用
@article{arxiv.1401.0502,
title = {Electronic and Thermoelectric Properties of Few-Layer Transition Metal Dichalcogenides},
author = {Darshana Wickramaratne and Ferdows Zahid and Roger K. Lake},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.0502},
year = {2014}
}