二维 III 族单硫族化合物中的压电性
材料科学
2016-01-22 v1
摘要
我们发现几种层相 III 族单硫族化合物，包括 GaS、GaSe 和 InSe，在单层形式下具有压电性。第一性原理计算表明，单层 GaS、GaSe 和 InSe 的压电系数与早期发现的二维压电材料（如 BN 和 MoS2 单层）处于同一数量级。我们的研究扩展了二维压电材料的家族，表明强压电响应可出现在具有破缺反演对称性的广泛二维材料中。这些二维半导体中压电性与优异光敏性的共存，使得在同一材料平台上集成机电和光学传感器成为可能。
引用
@article{arxiv.1503.07379,
title = {Piezoelectricity in Two-Dimensional Group III Monochalcogenides},
author = {Wenbin Li and Ju Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.07379},
year = {2016}
}