综述:IV族单硫族化物单层的物理性质
介观与纳米尺度物理
2021-03-12 v1 材料科学
软凝聚态物质
摘要
我们综述了铁电与铁弹 IV族单硫族化物单层的最新知识。这些半导体具有显著的结构和力学性质,例如可切换的面内自发极化、软弹性常数、结构简并以及热驱动二维结构相变。此外,这些二维材料还表现出选择性谷激发、谷霍尔效应和持续自旋螺旋行为。在描述其拉曼光谱之后,我们还讨论了由于其缺乏中心反演对称性而产生的光学性质——例如异常强的二次谐波强度、大体光伏效应、光致伸缩以及可调激子束缚能。在这些材料中观察到的物理性质源于(或与其)本征且可切换的电极化相关,本文所综述的物理行为可用于非易失性存储器、谷电子学、自旋电子学和光电子器件:这些二维多铁性材料丰富并多样化了二维材料工具箱。
引用
@article{arxiv.2009.04341,
title = {Colloquium: Physical properties of group-IV monochalcogenide monolayers},
author = {Salvador Barraza-Lopez and Benjamin M. Fregoso and John W. Villanova and Stuart S. P. Parkin and Kai Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.04341},
year = {2021}
}
备注
Accepted for publication at Reviews of Modern Physics on September 9, 2020