单层过渡金属硫族化合物的软 X 射线谱：谷选择性？

半导体性单层过渡金属硫族化合物的光学性质近年来备受关注，起因于发现依据入射光偏振可对直接带隙处的 $K_{+}$ 或 $K_{-}$ 谷进行谷选择性光学布居。我们利用群论选择定则以及第一性原理 DFT 计算，考察这一价带/导带谷选择性效应是否也存在于从金属原子芯能级到价带与导带 $K$ 谷的 X 射线光学跃迁中。对于用圆偏振辐射在价带边往返的 $s$、$p_{1/2}$ 与 $p_{3/2}$ 边跃迁，预测存在谷选择性。我们研究了其在谷电子学性质与谷间动力学诊断中的可能新颖应用，并讨论了利用合适软 X 射线自由电子激光源进行时间分辨泵浦-探测与高分辨实验的可行性。