原子级薄半导体的光-谷电子学成像
介观与纳米尺度物理
2019-02-20 v1
摘要
过渡金属硫族化物半导体是构成层状异质结构的基本组分，可用于超越传统光电子学的新兴技术。在其单层形式中，它们承载具有量子化圆周运动以及关联谷极化与谷相干性的电子，作为光-谷电子学功能的关键要素。在此，我们引入二维偏振测量术，作为对单层过渡金属硫族化物中谷赝自旋自由度进行直接成像的手段。以具有谷选择性光学跃迁的代表性材料 MoS_2 为例，我们建立了用于扩展晶体偏振映射的定量图像分析，并将谷极化与谷相干性确定为对晶体无序敏感探针。此外，我们发现了垂直磁场中谷极化激子随位置而异的热与非热 regime。最后，我们展示了宽场偏振测量术在基于原子级薄半导体与异质结构的光-谷电子学器件快速检测方面的潜力。
引用
@article{arxiv.1902.06856,
title = {Opto-valleytronic imaging of atomically thin semiconductors},
author = {Andre Neumann and Jessica Lindlau and Léo Colombier and Manuel Nutz and Sina Najmaei and Jun Lou and Aditya D. Mohite and Hisato Yamaguchi and Alexander Högele},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.06856},
year = {2019}
}