单层过渡金属硫族化物中缺陷诱导的低能激子修正与谷选择性
材料科学
2018-10-24 v2
摘要
我们利用第一性原理 GW 与 Bethe-Salpeter 方程计算，研究了点缺陷硫族空位对单层过渡金属硫族化物光学性质的影响。我们发现硫族空位在价带的准粒子连续谱内引入了未占据的带隙内态与占据的共振缺陷态。这些缺陷态产生了若干强束缚的缺陷激子，并与本征体系的激子杂化，降低了谷选择性圆二色性。我们的结果表明了一条通过缺陷工程调控自旋-谷极化与其他光学性质的途径。
引用
@article{arxiv.1804.05719,
title = {Defect-induced modification of low-lying excitons and valley selectivity in monolayer transition metal dichalcogenides},
author = {Sivan Refaely-Abramson and Diana Y. Qiu and Steven G. Louie and Jeffrey B. Neaton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.05719},
year = {2018}
}