空位局域化效应对 MX2 过渡金属硫族化合物的影响：一项系统性第一性原理研究
材料科学
2023-04-17 v1
摘要
我们广泛研究了二维过渡金属硫族化合物（MX）的空位形成能学。基于第一性原理方法，我们研究了 M=Mo、W、Ni、Pd 和 Pt，X=S、Se 和 Te 的 MX 体系。此处我们归类指出，硫族空位在能量上始终优于过渡金属空位。然而，对于后过渡金属 Pd 和 Pt ，金属空位在实验上可实现，并在半导体基质中引入局域磁矩。通过量化硫族空位态的局域化，我们阐明其支配着空位内与空位间的相互作用，这些相互作用决定了恰好位于半导体带隙中的空位态数目，以及其电子色散和自旋轨道耦合（SOC）分裂。结合所探索体系的不同空位及 1T 和 1H 相变异性，我们得以构建空位态局域化的指导性图像。
引用
@article{arxiv.2205.02965,
title = {Vacancy localization effects on MX2 transition metal dichalcogenides: a systematic ab-initio study},
author = {Rafael L. H. Freire and Felipe Crasto de Lima and Adalberto Fazzio},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.02965},
year = {2023}
}