二维IV族单硫族化合物的增强压电性与修饰介电屏蔽
介观与纳米尺度物理
2016-01-20 v1
摘要
我们使用第一性原理计算研究IV族单硫族化合物的晶格性质。这些包括静态介电常数、弹性和压电张量。对于单层，发现静态介电常数除了获得对层间距的依赖性外，还比三维体系中的相对较高。相反，发现弹性性质随维度降低几乎不变。与面内形变相关的泊松比接近于零，并且预测GeS化合物存在负泊松比。最后，单层显示出压电性，其压电常数高于最近预测出现在其他二维体系（如六方BN和过渡金属硫族化物单层）中的压电常数。
引用
@article{arxiv.1511.01645,
title = {Enhanced piezoelectricity and modified dielectric screening of 2-D group-IV monochalcogenides},
author = {Lídia C. Gomes and A. Carvalho and A. H. Castro Neto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.01645},
year = {2016}
}