二维IV族单硫族化物中的空位与氧化
介观与纳米尺度物理
2016-08-17 v1
摘要
利用密度泛函理论计算研究了SnS、SnSe、GeS、GeSe二元IV族单硫族化物单层的点缺陷。发现了氧缺陷的几种稳定构型，然而我们给出证据表明这些材料比磷烯更不易氧化，单硫族化物与磷烯等电子且共享相同的正交晶系结构。同时发生的氧缺陷预期为空位和取代氧。我们表明，从能量上看氧并入层中以取代硫族元素（O S/Se缺陷）是有利的，且与所研究的大多数其他缺陷不同，该缺陷保持了材料的电子结构。因此，我们认为退火处理可用于处理不希望因缺陷存在而导致损耗机制的功能材料。
引用
@article{arxiv.1604.04092,
title = {Vacancies and oxidation of 2D group-IV monochalcogenides},
author = {Lídia C. Gomes and A. Carvalho and A. H. Castro Neto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.04092},
year = {2016}
}