氧污染对单层GeSe的影响：一项计算研究
介观与纳米尺度物理
2016-12-21 v1
摘要
自然氧化是大多数新型二维材料机械与电子性能常见的退化机制。从另一视角看，可控氧化是调控材料性能、拓展实际应用可能性的一种选择。理解氧化引起的电子结构改变对于如单层GeSe（一种近红外光电探测器的候选新材料）这样的新材料而言极为必要。借助第一性原理计算，我们研究了氧缺陷对单层GeSe结构与电子性质的影响。我们的计算表明，氧化是一个放热过程，并在锗位点成核。氧化可导致单层GeSe结构上的严重局部变形，并在带隙中引入深能级或在导带边附近引入浅能级。此外，氧化使带隙增大约23%，并可能诱导直接到间接带隙的转变。这些结果表明，自然或刻意诱导的单层GeSe氧化可成为新光电性质的来源，为二维层状材料增添另一重要基石。
引用
@article{arxiv.1604.06322,
title = {Effects of Oxygen Contamination on Monolayer GeSe: A computational study},
author = {I. S. S. de Oliveira and R. Longuinhos},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.06322},
year = {2016}
}