单层 GaSe 激子特性的应变工程
材料科学
2023-01-03 v2
摘要
本文利用第一性原理计算研究应变对单层 GaSe 电子与光学性质的影响。形变显著改变 GaSe 的能量色散、带隙与带边态。带隙演化随应变呈线性与非线性变化，并强烈依赖于形变类型与修饰方向。外部机械应变也显著调控 GaSe 的光学性质，施加拉伸应变时激子结合能强烈降低，而压缩应力则相反。此外，非均匀应变还在吸收光谱中诱导出强偏振。我们的计算表明，单层 GaSe 的电子与光学性质可通过应变工程显著调控，这似乎是设计新型光电器件的一种有前景途径。
引用
@article{arxiv.2212.04023,
title = {Strain Engineering on the Excitonic Properties of Monolayer GaSe},
author = {Vo Khuong Dien and Nguyen Thi Han and Wei-Bang Li and Kuang-I Lin and Ming-Fa Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.04023},
year = {2023}
}