应变对带隙石墨烯能带工程的影响
介观与纳米尺度物理
2021-04-02 v2 量子物理
摘要
我们研究了在外部源作用下应变对带隙石墨烯能带工程的影响。通过应用 Floquet 理论,我们确定了在沿扶手椅型和锯齿型方向存在应变时,被线偏振、圆偏振和椭圆偏振修饰场修饰的电子的有效哈密顿量。我们的结果表明,能谱展现出不同的对称性;对于无应变情况,无论辐照强度为何值,它均呈现各向同性和各向异性形式,而如同本征石墨烯情况那样呈线性。当沿扶手椅型方向施加应变时,它缓慢增加,但对于锯齿型情况则迅速增加。此外,我们发现重整化带隙随不同应变大小而变化,而对于偏振相位 则不发生变化;相比之下,在线偏振和圆偏振下其值呈相反变化。
引用
@article{arxiv.2007.04579,
title = {Effect of Strain on Band Engineering in Gapped Graphene},
author = {Hasna Chnafa and Miloud Mekkaoui and Ahmed Jellal and Abdelhadi Bahaoui},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.04579},
year = {2021}
}
备注
18 pages, 10 figures. Clarifications and references added