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单轴应变石墨烯中的反常 Floquet 隧穿

介观与纳米尺度物理 2021-05-05 v1 材料科学

摘要

本文考虑石墨烯中应变工程与电子光子辅助隧穿的相互作用以产生非典型输运现象。单轴应变与时间周期势垒的结合有助于在广泛可调参数范围内控制粒子透射。利用紧束缚方法、弹性理论与 Floquet 散射,我们发现对于破坏关于正入射镜面对称性的单轴应变,边带中最大透射发生角偏移,称之为反常 Floquet 隧穿。我们表明电子隧穿强烈依赖于势垒宽度、入射角、单轴应变以及时间周期势参数的调节。对势垒宽度与振荡幅度的适当调制可用于选择边带中的透射。这些发现可用于控制通过光子辅助隧穿的电子电流,并应用于多种纳米技术中。

关键词

引用

@article{arxiv.2012.00233,
  title  = {Anomalous Floquet tunneling in uniaxially strained graphene},
  author = {Yonatan Betancur-Ocampo and Parisa Majari and Diego Espitia and Francois Leyvraz and Thomas Stegmann},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2012.00233},
  year   = {2021}
}

备注

12 pages, 8 figures