中文

石墨烯中单轴应变的紧束缚方法

材料科学 2009-07-15 v4 介观与纳米尺度物理

摘要

我们分析了拉伸应变对石墨烯电子结构的影响。在无电子-电子相互作用、线性弹性理论以及紧束缚方法下,我们观察到应变可以产生体态能谱隙。然而,该能隙是临界的,需要超过 20% 的阈值形变,并且仅沿相对于底层晶格的特定择优方向。无能隙的 Dirac 谱对于微小和中等形变是鲁棒的,能隙的出现是两个不等价 Dirac 点合并的结果,仅在晶格发生相当大的形变时发生。我们讨论了如何将应变诱导的各向异性和局部形变用作影响石墨烯器件中输运特性和切断电流流动的手段。

关键词

引用

@article{arxiv.0811.4396,
  title  = {A tight-binding approach to uniaxial strain in graphene},
  author = {Vitor M. Pereira and A. H. Castro Neto and N. M. R. Peres},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0811.4396},
  year   = {2009}
}

备注

Expanded version of the original paper