扭曲石墨烯层垂直器件中应变诱导的导通能隙
介观与纳米尺度物理
2015-02-26 v1
摘要
我们研究了单轴应变对由两层部分重叠的扭曲石墨烯构成的垂直器件输运特性的影响。我们发现，由于两个石墨烯晶格的取向不同，应变效应会导致它们的狄拉克点（Dirac points）在空间中发生位移并分离。因此，在仅有百分之几的小应变下，器件中可获得高达几百 meV 的有限导通能隙。我们阐明并展示了该导通能隙对应变强度、应变方向、输运方向以及扭曲角的依赖关系。在此基础上，展示了电导的强调制以及塞贝克系数（Seebeck coefficient）的显著提升。因此，所提出的器件对于改进石墨烯的应用（例如作为晶体管或应变及热传感器）可能非常有前景。
引用
@article{arxiv.1412.7518,
title = {Strain-induced conduction gap in vertical devices made of twisted graphene layers},
author = {Viet Hung Nguyen and Huy-Viet Nguyen and Jerome Saint Martin and Philippe Dollfus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.7518},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 5 figures, submitted