非公度错向石墨烯层垂直器件中的输运带隙
介观与纳米尺度物理
2015-12-23 v1
摘要
通过原子级紧束缚计算，我们研究了由两层非公度错向石墨烯层构成的垂直器件的输运性质。选定输运方向（Ox轴），我们定义两类旋转石墨烯晶格，其区别在于晶格对称性及因此的布里渊区不同性质，即两个狄拉克锥要么位于相同的点（），要么位于不同的点（，其中为沿Oy轴的周期长度）。结果，两层狄拉克锥发生错位，并且在由不同晶格类别的两层构成的器件中实现了显著的透射能隙（约几百meV）。我们还表明应变工程可用于强烈增大此类器件中的带隙。
引用
@article{arxiv.1506.06586,
title = {Transport gap in vertical devices made of incommensurately misoriented graphene layers},
author = {Viet Hung Nguyen and Philippe Dollfus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.06586},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures, submitted