通过应变和掺杂工程增强石墨烯器件中的塞贝克效应
材料科学
2015-06-23 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
在这项工作中，我们研究通过应变和掺杂工程增强石墨烯器件中的热电功率（塞贝克系数）的可能性。虽然局部应变可导致不同石墨烯部分在k空间中的狄拉克锥错位，但掺杂工程导致它们在能量上的位移。通过结合这两种效应，我们证明可以实现大到几百meV的导带隙，因此在具有局部应变区域的掺杂石墨烯异质结中，增强的塞贝克系数可以达到高于1.4 mV/K的值。此类异质沟道似乎对于扩展石墨烯器件在应变和热传感器中的应用非常有前景。
引用
@article{arxiv.1505.06474,
title = {Enhanced Seebeck effect in graphene devices by strain and doping engineering},
author = {Mai Chung Nguyen and Viet Hung Nguyen and Huy-Viet Nguyen and Jerome Saint-Martin and Philippe Dollfus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.06474},
year = {2015}
}