石墨烯在氮化硼上的自发应变与能隙
介观与纳米尺度物理
2014-09-05 v2
摘要
石墨烯层与六方氮化硼 (hBN) 衬底之间的相互作用会在石墨烯层中诱导横向位移和应变。这些位移导致了共格区域的出现,并在石墨烯的电子谱中产生了一个平均能隙。我们提出了一个简单但真实的模型,通过该模型可以从 hBN 与石墨烯之间的粘附力解析地推导出位移、应变和谱能隙。当石墨烯与衬底的晶轴对齐时,应变可达 2% 量级,从而产生超过 100T 的有效磁场。应变与诱导标量势的结合对电子能隙有显著贡献。由于石墨烯具有较大的刚度,共格效应可忽略不计。
引用
@article{arxiv.1404.7777,
title = {Spontaneous Strains and Gap in Graphene on Boron Nitride},
author = {Pablo San-Jose and Ángel Gutiérrez and Mauricio Sturla and Francisco Guinea},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.7777},
year = {2014}
}
备注
8 pages, 11 figures. Expanded stability analysis, fixed references