石墨烯在六方氮化硼衬底上的吸附与电子结构
介观与纳米尺度物理
2011-12-14 v2 材料科学
强关联电子
摘要
我们在绝热连接涨落-耗散理论的随机相位近似框架下，通过第一性原理计算研究了石墨烯片在 h-BN 衬底上的吸附。我们获得了不同晶体学堆垛构型的吸附能，并表明层间键合源于长程范德华力。弹性能与吸附能的相互作用被证明会导致堆垛无序和莫尔条纹结构。能带结构计算揭示了衬底在石墨烯中诱导的质量项，其符号随堆垛构型而改变。我们讨论了莫尔条纹结构中低能电子态的色散、绝对带隙以及实空间形状。我们发现莫尔条纹结构中的绝对带隙至少比质量项的局部最大值小一个数量级。我们的结果与最近的 STM 实验一致。
引用
@article{arxiv.1105.2379,
title = {Adhesion and electronic structure of graphene on hexagonal boron nitride substrates},
author = {B. Sachs and T. O. Wehling and M. I. Katsnelson and A. I. Lichtenstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.2379},
year = {2011}
}
备注
8 pages, 8 figures, revised and extended version, to appear in Phys. Rev. B