GaN 纳米柱上石墨烯的静电诱导应变
介观与纳米尺度物理
2023-07-07 v1
摘要
沉积在由未掺杂间隔物分隔的半导体纳米柱上的少层石墨烯已从制造稳定纳米谐振器的角度进行了研究。我们表明，在石墨烯层与纳米柱衬底之间施加偏压会以两种方式影响石墨烯电极：1）改变石墨烯中的载流子浓度，以及 2）诱导应变，这由拉曼光谱所证实。所研究结构的电容随与纳米柱接触的石墨烯面积而缩放。由于接触表面减小，石墨烯门控效率比无可纳米柱的同类结构低一个数量级。在偏压下观察到的石墨烯拉曼模移动清楚地显示了静电诱导应变的存在以及载流子浓度的微弱改变，且两者均与石墨烯层数无关。对于石墨烯与纳米柱接触面积较大的样品，观察到偏压对应变的影响更强，这显示了构建传感器和纳米谐振器器件的前景。
引用
@article{arxiv.2307.02940,
title = {Electrostatically-induced strain of graphene on GaN nanorods},
author = {Jakub Kierdaszuk and Rafał Bożek and Tomasz Stefaniuk and Ewelina Możdzyńska and Karolina Piętak-Jurczak and Sebastian Złotnik and Vitaly Zubialevich and Aleksandra Przewłoka and Aleksandra Krajewska and Wawrzyniec Kaszub and Marta Gryglas-Borysiewicz and Andrzej Wysmołek and Johannes Binder and Aneta Drabińska},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.02940},
year = {2023}
}