周期性应变石墨烯的电子结构表征
材料科学
2015-11-09 v1
摘要
我们将多晶石墨烯包裹在具有 600 nm 周期性重复柱状结构的基底上，从而在其中引入周期性双轴拉伸应变。利用拉曼光谱，我们确定在石墨烯中引入了 0.4% 至 0.7% 范围内的双轴应变。利用价带光电子发射、二次电子发射偏移以及从碳 1s 能级到未占据石墨烯导带的 X 射线吸收，对其能带结构进行了表征。观察到相对于无应变石墨烯，应变石墨烯具有更高的功函数以及更高的价带和导带态密度。我们测量了应变与无应变石墨烯对栅极电压的响应电导率，并将其行为变化与电子结构的变化相关联。基于这些数据，我们提出了一个表示具有周期性双轴应变石墨烯的简单能带图。
引用
@article{arxiv.1511.01921,
title = {Characterization of electronic structure of periodically strained graphene},
author = {Marjan Aslani and C. Michael Garner and Suhas Kumar and Dennis Nordlund and Piero Pianetta and Yoshio Nishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.01921},
year = {2015}
}