应变石墨烯的 2D Raman 带
介观与纳米尺度物理
2013-06-11 v3
摘要
我们在非正交紧束缚模型内研究了面内单轴应变石墨烯的 2D Raman 带。在非零应变下，所得 2D 带在应变角 和 处分裂为两个子带，或在中间角度处分裂为三个子带。在 -1% 至 3% 的可达应变范围内以及 1.5 eV 至 3.0 eV 的常用激光光子能量下，系统地计算了 2D 子带的演化。推导并列出了 2D 子带的应变率和色散率。特别地，这两个量表现出高达 50% 的大幅变化。2D 子带的结果可用于检测和监测石墨烯在纳米电子学应用中的应变。
引用
@article{arxiv.1301.0799,
title = {Theoretical 2D Raman band of strained graphene},
author = {Valentin N. Popov and Philippe Lambin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.0799},
year = {2013}
}