应变工程石墨烯的Dirac-Kronig-Penney模型
介观与纳米尺度物理
2010-10-13 v2
摘要
受近期关于应变工程石墨烯电子电路方案的启发，我们计算了周期性变形石墨烯中的电导率、散粒噪声和态密度。我们提供了Dirac-Kronig-Penney模型的解，该模型描述了具有应变和静电势一维调制的洁净单层样品中的相位相干输运。我们将精确结果与定性能带结构分析进行比较。我们发现周期性应变会诱导大的赝能隙，并抑制应变调制方向上的电荷输运。电导率栅压依赖关系中的应变诱导极小值表征了石墨烯超结构的质量。如果原子间距的变化超过a^2/l（其中a是自由石墨烯的晶格常数，l是超晶格的周期），则这种效应尤其显著。由周期性静电势诱导的类似效应由于Klein隧穿而被削弱。
引用
@article{arxiv.1006.3748,
title = {Dirac-Kronig-Penney model for strain-engineered graphene},
author = {S. Gattenloehner and W. Belzig and M. Titov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.3748},
year = {2010}
}
备注
11 pages, 8 figures