超出Cauchy-Born规则的应变石墨烯理论
介观与纳米尺度物理
2018-07-09 v1
摘要
应变石墨烯的低能电子性质通常依据Cauchy-Born规则对键矢量进行变换得到。本工作中，我们假设均匀应变下键矢量有更一般的变换规则，考虑应变引起的石墨烯两个子晶格间的相对位移，从而推导出一个新的有效狄拉克哈密顿量。我们的解析结果表明，考虑此种相对位移会得到与先前报道定性不同的费米速度。此外，由推导的哈密顿量，我们分析了该相对位移对局域态密度与光学电导率的影响，以及对扫描隧穿谱（包括外磁场）和应变石墨烯光学透射实验的启示。
引用
@article{arxiv.1807.02147,
title = {Theory for strained graphene beyond the Cauchy-Born rule},
author = {Maurice Oliva-Leyva and Chumin Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.02147},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 2 figures. Published version in Phys. Status Solidi RRL