具有邻近交换场石墨烯结中的克莱因隧穿与哈特曼效应
介观与纳米尺度物理
2019-05-01 v1
摘要
本文从理论上研究了基于石墨烯的结中的电子隧穿。假定石墨烯或直接沉积在铁磁绝缘体上，或沉积在少数原子层氮化硼上，而氮化硼将石墨烯与金属铁磁衬底隔开。此类结可通过相应体系的适当外栅极形成。为描述狄拉克点附近的低能电子态，采用了相关文献中可用的某些有效哈密顿量。这些哈密顿量包含由于铁磁衬底引起的交错势与交换相互作用。因此所考虑体系中的隧穿是自旋依赖的。主要关注点为克莱因隧穿，以及群延迟和相关的哈特曼效应。详细分析了狄拉克点处能谱诱导的带隙对隧穿的影响。
引用
@article{arxiv.1812.01421,
title = {Klein tunnelling and Hartman effect in graphene junctions with proximity exchange field},
author = {Jędrzej Tepper and Józef Barnaś},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.01421},
year = {2019}
}
备注
12 pages, 8 figures