应变调制石墨烯异质结作为谷电子学电流开关
介观与纳米尺度物理
2021-08-25 v1
摘要
应变工程是抑制石墨烯基器件中由 Klein 隧穿引起的关态电导的一种极具前景的方法。本文推导了一个全面的应变石墨烯紧束缚哈密顿量，其中包含了迄今被忽略的应变诱导效应，如应变下晶胞的畸变、应变对次近邻耦合的影响，以及应变张量的二阶贡献。我们推导了 Dirac 点附近对应的低能有效哈密顿量，并根据哈密顿量中的附加项重新表述了应变与无应变石墨烯界面处的边界条件。通过应用这些边界条件，我们评估了由中心段夹在两个无应变引线之间构成的应变石墨烯异质结的透射率。通过改变外加应变的大小和方向，以及施加栅极电压，可以实现对透射电流的调制。基于实际的参数值，我们预测在应变调制器件中可以实现高达 的开关比以及高电流谷极化。
引用
@article{arxiv.2108.10620,
title = {Strain-Modulated Graphene Heterostructure as a Valleytronic Current Switch},
author = {Maverick Chauwin and Zhuo Bin Siu and Mansoor Bin Abdul Jalil},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.10620},
year = {2021}
}